Description
PREAMPLI PHONO REGA AOS MC
Le REGA AOS : un préamplificateur dédié aux cellules à bobine mobile, sans compromis et entièrement réglable. Sa conception s’inspire largement de l’étage phono MC de référence AURA. Logé dans un boîtier Rega sur mesure de demi-largeur, l’AOS offre une définition exceptionnelle et un réalisme élevé, donnant vie à vos vinyles préférés.
Le PREAMPLI PHONO REGA AOS MC offre un gain suffisant pour les cellules MC à faible sortie et une excellente adaptabilité de charge. C’est le partenaire idéal quelle que soit la cellule à bobine mobile utilisée.
Purement analogique
L’AOS est un « amplificateur entièrement analogique » à deux étages, sans aucun circuit de commande numérique. Le boîtier entièrement en aluminium protège le circuit interne de tout signal RFI parasite. Aucun composant ou circuit inutile est susceptible de dégrader le chemin du signal. Une commande servo à réglage automatique compense les variations de température ambiante ou de fonctionnement.
L’électronique en détail
L’AOS utilise des transistors à effet de champ (FET) à faible bruit, connectés en parallèle et configurés en paire composée. L’utilisation de transistors FET garantit l’absence de courant de polarisation dans la bobine de la cellule, afin de ne pas perturber la géométrie magnétique délicate de celle-ci.
L’entrée MC permet de sélectionner une charge d’entrée résistive de 70 Ω à 400 Ω et une charge capacitive de 1 000 pF à 4 300 pF. La sensibilité d’entrée peut être modifiée de 6 dB via le panneau arrière. Une fonction de veille automatique met l’appareil en veille après une période sans signal. Celle-ci est désactivable via des commutateurs DIP situés sur le panneau arrière.
Premier étage : Le premier étage est un amplificateur symétrique de classe A à configuration complémentaire, utilisant des transistors FET (transistors à effet de champ) à très faible bruit de Linear Systems. L’utilisation de transistors FET garantit l’absence de courant de polarisation dans la bobine de la cellule, afin de ne pas perturber la géométrie magnétique délicate de celle-ci. La configuration du circuit d’entrée permet également d’éviter l’utilisation de composants de couplage entre la sortie de la cellule et les transistors FET de l’étage d’entrée, qui dégraderaient le son. Les transistors FET complémentaires à très faible bruit sont soigneusement classés et appariés pour des performances optimales.
Caractéristiques techniques
Charge d’entrée: 70, 100, 150 et 400 Ω et charge capacitive: 1 000, 4 300 pF
Précision RIAA (charge de sortie de 100 kΩ): Inférieure à ±0,2 dB de 65 Hz à 70 kHz
Réponse en fréquence: 17,5 Hz (-3 dB) à 100 kHz (-0,2 dB)
THD: 0,03 %
Sensibilité d’entrée: 69,3 dB (réglage de gain I), 63,5 dB (réglage de gain II)
Généralités
Consommation en veille: 0,4 W
Consommation électrique: 20 W
Dimensions (L x H x P):220 x 80 x 330 mm
Poids: 2,9 kg
